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非极性GaN晶体基片

非极性GaN晶体基片
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更新时间：2024-04-24 07:59:02浏览次数：1683次

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产品简介
非极性GaN晶体基片

详情介绍

产品名称：

非极性氮化镓(GaN)晶体基片

技术参数：

晶体定位面：

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

传导类型：

N型；半绝缘型

电阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位错密度：

<5x106Ω.cm

可用表面积：

>90%

TTV:

≤15um；

 

产品规格：

常规尺寸：10x5x0.5mm；

厚度公差：+/-0.05mm；

注：可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装：

1000级超净室100级超净袋

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